电子元器件失效分析
失效定位技术：
显微红外热像技术(热点和温度绘图)
液晶热点检测技术
光发射显微分析技术(EMMI)
表面元素分析：
扫描电镜及能谱分析（SEM/EDS）
俄歇电子能谱分析（AES）
X射线光电子能谱分析（XPS）
二次离子质谱分析（SIMS）
产生效益提供电子元器件设计和工艺改进的依据，指引产品可靠性工作方向；
查明电子元器件失效根本原因，有效提出并实施可靠性改进措施；
提高成品产品成品率及使用可靠性，提升企业核i心竞争力；
明确引起产品失效的责任方，为司i法仲裁提供依据。
高分子材料失效分析
众所周知，即使在*大载荷低于高分子材料的屈服强度下长期使用，高分子材料报名将会出现微观裂纹，并逐渐扩展到临界尺寸。与此同时，高分子材料的强度逐渐下降，低载荷亦能是使高分子材料断裂，即构件失效。这种微观断裂纹可能是化学老化或高分子材料本身的缺陷造成，而且载荷的长期作用引起高分子材料疲劳，称为物理老化。
高分子材料失效分析
由此产生假设：高分子材料结构构件之所以会失效，是由于在一定缓解下i载荷的连续作用，构件内部产生了综合效应，他包括化学-物理老化，于是在宏观上出现裂纹,继而扩展开裂，直至失效，并且这一过程是连续的。于是复合材料断裂、开裂、爆板分层、腐蚀等之类失效频繁出现，常引起供应商与用户间的责任纠纷。通过失效分析手段，可以查找产品失效的根本原因及机理，从而提高产品质量、工艺改进及责任仲裁等方面。